【摘要】目的:探讨SD大鼠WBI后海马区NFATc4/3信号通路相关因子的改变。方法将120只1个月龄雄性SD大鼠随机分为5个组,采用4MeV电子线进行0、2、10、20Gy单次WBI,在照射后6h、12h、1d、3d、1周、2周,用蛋白印迹法和RT⁃PCR方法检测海马区CaN、NFATc4/3、p⁃NFATc4/3、GSK⁃3β表达量变化。结论电离辐射对海马NFATc4/3信号通路有抑制作用,推测放射性认知功能障碍可能与NFATc4/3信号通路相关。
   
   【关键词】:全脑照射;NFATc4/3基因;认知障碍
   
   3讨论
   电离辐射可以引起长期慢性认知功能损害,当WBI剂量达到2Gy时行为学检测就能发现实验鼠的认知功能受损。在Acevedo等的研究中,10GyWBIC57BL/6小鼠3个月后采用新位置识别检测时发现了辐射引起的认知缺陷。Liu等课题组20Gy单次WBI4周龄雄性SD大鼠,照射后第7天和第20天检测出照射组大鼠认知功能障碍。朱广迎等研究WBI后昆明鼠的学习、记忆力损伤及其变化规律,20Gy组学习、记忆力损伤最重,10Gy组次之。本课题组前期研究也显示全脑20、30Gy照射后大鼠出现海马依赖性的认知功能障碍,然而30GyWBI却极易导致大鼠死亡率增高,因此本研究采用2、10、20Gy照射剂量。
   综上所述,基于本课题组前期研究WBI会引起大鼠认知功能障碍,本文发现电离辐射会引起NFAT3/c4信号通路改变,推测放射性认知功能障碍可能与NFAT3/c4信号通路改变相关,这可能为以后临床WBI后认知功能障碍带来潜在的治疗依据。