[摘要]:认知功能障碍患者的增多给社会、家庭带来了沉重的精神和经济负担。电压门控性钾通道(voltage-gatedpotas-siumchannels,Kv)主要分为延迟整流钾通道和瞬时外向钾通道,参与认知功能障碍的发生。文中对Kv通道与认知功能障碍,以及Kv通道与在学习和记忆过程中起重要作用的N-甲基-D-天冬氨酸(N-methyl-D-asparticacid,NMDA)受体之间的关系作一综述。
   
   [关键词]:认知功能障碍;电压门控性钾通道;延迟整流钾通道;瞬时外向钾通道;NMDA受体
   
   
   认知是机体认识和获取知识的智能加工过程,涉及学习、记忆、语言、思维、精神、情感等一系列的随意、心理和社会行为。认知功能障碍是指与上述行为有关的大脑高级智能加工过程出现异常。认知是大脑皮层复杂高级功能的反映,任何能导致大脑皮层功能和结构异常的因素均可导致认知功能障碍,因而认知功能障碍的发病机制是多因素参与的复杂过程。认知功能障碍已成为影响中老年人健康和生活质量的重要疾病。
   认知功能障碍严重者为痴呆,以AD居多。大量研究发现由Aβ引发的认知损伤通常伴有IA和IK电流的增加,以及相关亚型的表达上调,表明认知功能障碍时Kv通道会发生改变,包括电生理特性、基因和蛋白水平等方面的变化。同时,该过程也受到NMDA受体的调控。针对Kv通道可能成为治疗一系列神经系统疾病的可行策略。然而在其他因素诱发的认知功能障碍下,调节特异性K+电流的不同Kv通道的功能和表达改变,以及相关的机制研究尚且不足,还需进一步的研究和探索。Kv通道在认知功能障碍中的作用、地位及相关机制的深入研究将可能为认知功能障碍的防治提供新的靶点。